SIPAR

主要特点和优势

顺序沉积

SENTECH SIPAR ICP 沉积系统结合了原子层沉积 (ALD) 和电感耦合等离子体增强真空沉积 (ICPECVD) 技术，在一个反应腔内采用顺序沉积方法。用户可以利用这两种工艺的优势，实现精确、保形和高质量的多层薄膜，并对薄膜厚度、均匀性、选择性和沉积速率进行出色的控制。这在先进的有机电子、微电子、纳米技术和半导体器件研究中尤为重要。

灵活的系统架构

该系统的设计和开发采用灵活的系统结构，适用于多种沉积模式和工艺。由均匀、保形沉积的 ALD 层和快速生长的 ICPECVD 薄膜组成的混合多层膜可为有机器件技术、纳米技术以及半导体研究和工业带来益处。

成本效益高

SENTECH SIPAR ICP 具有高效的多层沉积能力，占地面积小，因此成本效益高，用途广泛。它非常适合有机器件技术、纳米技术和半导体研究领域的研发和学术机构使用。

SENTECH SIPAR ICP 沉积系统采用灵活的系统结构，专为多种沉积模式和工艺而开发设计。该工具由 ICP 等离子源 PTSA、动态温控基底电极和完全可控的真空系统组成。该系统在一个反应器中结合了等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 和原子层沉积 (ALD)。

灵活性和模块化

SENTECH SIPAR ICP沉积系统可实现ALD和电感耦合等离子体增强化学气相沉积（ICPECVD）的连续沉积，而无需在不同的反应室之间转移基底。

由均匀、保形沉积的 ALD 层和快速生长的 ICPECVD 膜组成的混合多层膜在有机器件技术、纳米技术和半导体研究方面具有优势。SENTECH SIPAR ICP沉积系统可为生产、研发和大学使用提供高效的多层沉积。更低的价格、更高的生产能力和更小的占地面积，使森特SIPAR ICP沉积系统比集群解决方案更具优势。

SENTECH SIPAR 系统由先进的硬件和 SIA 操作软件控制，采用客户端-服务器结构。所有组件的实时控制均采用成熟可靠的可编程逻辑控制器（PLC）。