主要特点和优势
显著的材料蚀刻灵活性
从电介质到 III-V 化合物（如 GaAs 和 InP）的结构化，SENTECH SI 500 CCP RIE 等离子刻蚀系统采用氦（He）背侧冷却，工作温度范围广（RT 至 250°C）。可对金属进行物理蚀刻，也可对石墨烯和氢化硼等量子材料进行缓慢蚀刻。
卓越的工艺稳定性
He 背面冷却和动态温度控制可防止基片升温，从而实现稳定蚀刻。利用 SENTECH 自适应基片处理技术，可以在不打开反应器的情况下，通过 He 背侧冷却轻松处理小型晶片。
出色的均匀性
"(《世界人权宣言》) SI 500 CCP 在 RIE 模式下运行时，喷淋头可实现均匀的气体分布，在 200 毫米的基底上也能提供出色的均匀性和一致的效果。
SENTECH SI 500 CCP 该系统采用 He 背侧冷却动态温度控制，代表了材料蚀刻灵活性的领先水平。等离子蚀刻过程中的基片温度设置和稳定性是高质量蚀刻的苛刻标准。具有动态温度控制功能的基底电极结合 He 背侧冷却和晶片背面温度传感器，可在较宽的温度范围内提供出色的工艺条件。
灵活性和模块化
SENTECH SI 500 CCP 是一种导电耦合等离子体 (CCP) 蚀刻系统，具有 He 背面冷却功能，用于在 RIE 模式下加工基底。它设计用于 III/V 和硅加工领域，具有模块化和工艺灵活性。
该系统已在不同技术的所有重要蚀刻工艺中得到充分验证，可执行各种蚀刻工艺。
SENTECH SI 500 CCP 由先进的硬件和 SIA 操作软件控制，采用客户服务器结构。所有组件的实时控制均采用成熟可靠的可编程逻辑控制器（PLC）。
配置：
- CCP 等离子蚀刻系统
- 背面冷却
- 动态温度控制，最高可达 250 °C
- 适用于最大 200 毫米的晶片
- 可升级为配备 PTSA ICP 源的全功能 ICP-RIE 系统
