主要特点和优势
低损伤低温蚀刻
SENTECH SI 500 C 低温 ICP-RIE 等离子刻蚀系统代表了电感耦合等离子体 (ICP) 加工的前沿技术，温度范围从 -150 °C 到 150 °C。由于离子能量低、离子能量分布窄，森泰克 ICP 蚀刻工具可实现低损伤蚀刻和纳米结构。
利用低温加工技术进行深度硅蚀刻
电感耦合 SENTECH SI 500 C 低温 ICP-RIE 等离子刻蚀系统设计用于硅的低温刻蚀，以获得光滑的侧壁、室温下的硅刻蚀，以及使用气斩工艺的深硅刻蚀，可应用于流体技术、传感器、光电子学、光子学和量子技术。
SENTECH 专利的等离子源技术
SENTECH 平面三螺旋天线 (PTSA) 是一种独特的高端 ICP 等离子源。PTSA 源可产生均匀的等离子体，离子密度高，离子能量低，适用于传感器和量子点的低损伤蚀刻。它具有高耦合效率和非常好的点火性能，可处理多种材料和结构。
动态温度控制
等离子蚀刻过程中的基底温度设置和稳定性是高质量蚀刻的苛刻标准。具有动态温度控制功能的基底电极结合氦气背面冷却和基底背面温度传感器，可在很宽的温度范围内提供出色的工艺条件。一般情况下，低温电极使用液氮冷却，但也可使用冷却器进行室温加工。还可选择从低温蚀刻到室温蚀刻的自动切换。
SENTECH SI 500 C 低温 ICP-RIE 等离子刻蚀系统代表了电感耦合等离子体 (ICP) 加工的最前沿技术，温度范围从 -150 °C 到 150 °C。该工具由 ICP 等离子体源 PTSA、动态温控基底电极、完全可控的真空系统和非常易于操作的用户界面组成。灵活性和模块化是 SENTECH 的设计特点。 SI 500 C 低温 ICP-RIE 等离子刻蚀系统。该系统可配置用于处理各种精细结构，包括但不限于硅、氧化硅、钛、铌、钽、铌酸锂等。2Si3N4、砷化镓和磷化铟。
灵活性和模块化
SENTECH 内置的灵活负载锁可处理直径从 150 毫米晶圆到 200 毫米晶圆的各种基板以及载体上的基板。 SI 500 C Crogenic ICP-RIE 等离子刻蚀系统。单晶片真空负载锁可确保稳定的工艺条件，并可直接切换工艺。
SENTECH 提供不同程度的自动化，从真空盒装载到单工艺腔室，直至六端口集群配置，并配备不同的蚀刻和沉积模块，具有高度的灵活性和高产能。该系统还可作为一个工艺模块集成到集群配置中。
SENTECH SI 500 C 系统由先进的硬件和 SIA 操作软件控制，采用客户服务器结构。所有组件的实时控制均采用成熟可靠的可编程逻辑控制器（PLC）。
配置：
- 低温 ICP-RIE 等离子刻蚀系统
- 带真空负载锁
- 基底温度从 -150 °C 至 80 °C（LN2 冷却）
- 基底温度 -10 °C 至 150 °C，用于带循环冷却器（可选）的室温工艺
- 低温 ICP DRIE 等离子刻蚀系统，具有气体斩波 (Bosch) 功能
- 带真空负载锁
- 自动切换装置，可在低温蚀刻和气体斩切（博世）工艺之间自如切换
- 基底温度从 -150 °C 至 80 °C（LN2 冷却）
- 带循环冷却器的气体切碎 (Bosch) 工艺的基底温度范围为 -10 °C 至 +150 °C
- 配有自动切换装置的低温 ICP 等离子刻蚀系统，可在低温刻蚀和室温加工之间自如切换
- 带真空负载锁
- 基底温度从 -150 °C 至 80 °C（LN2 冷却）
- 使用循环冷却器进行室温加工时，基底温度为 -10 °C 至 150 °C
