主要特点和优势
低损伤 ICP-RIE 蚀刻
由于离子能量低、离子能量分布窄，因此 SENTECH 可以进行低损伤蚀刻和纳米结构处理。 SI 500 ICP-RIE 等离子刻蚀系统。
简单的高速蚀刻
采用室温交替工艺或低温工艺对用于光滑侧壁的高宽比微机电系统的硅进行高速等离子刻蚀都很容易。
SENTECH 专利的等离子源技术
SENTECH 平面三螺旋天线 (PTSA) 等离子源是 SENTECH 的独特高端等离子工艺系统。 SI 500 ICP-RIE 等离子刻蚀系统。PTSA 源可产生均匀的等离子体，离子密度高，离子能量低，适用于传感器、量子点和 HEMT 的低损伤蚀刻。它具有高耦合效率和非常好的点火性能，可处理多种材料和结构。
动态温度控制
等离子蚀刻过程中的基底温度设置和稳定性是高质量蚀刻的苛刻标准。具有动态温度控制功能的基片电极与 He 背面冷却和基片背面温度传感器相结合，可在较宽的温度范围内提供出色的工艺条件。化合物半导体中的凹槽和网格蚀刻等应用证明了最佳的工艺控制，而这正是实现高器件性能的必要条件。
低伤害
20 纳米硅锗纳米线
纳米结构
砷化镓/砷化镓量子点
低温蚀刻
在 -100°C 下用 SF6/O2 蚀刻硅
ICP 功率 PTSA 等离子源的独立低能量分布
SENTECH SI 500 ICP-RIE 系统代表了 ICP 处理在科研和工业领域的领先地位。该系统由 ICP 等离子体源 PTSA、动态温控基底电极、完全可控的真空系统和非常易于操作的用户界面组成。利用这种灵活的模块化等离子刻蚀系统，可以配置加工各种材料，包括但不限于 III-V 和 II-VI 化合物半导体（GaAs、InP、GaN、InSb）、电介质、石英、玻璃、硅、硅化合物（SiC、SiGe）和金属。
灵活性和模块化
SENTECH 内置的灵活负载锁可处理直径从 100 毫米晶圆到 200 毫米的各种基板以及载体上的基板。 SI 500 ICP-RIE 系统。单晶片真空负载锁可确保稳定的工艺条件，并可直接切换工艺。
我们可以提供不同程度的自动化，从真空盒装载到一个工艺室，直至六端口集群配置，并配备不同的蚀刻和沉积模块，从而提供高度的灵活性和高产能。该系统还可作为工艺模块集成到集群配置中。
SENTECH SI 500 ICP-RIE 系统由先进的硬件和 SIA 操作软件控制，采用客户服务器结构。所有组件的实时控制均采用成熟可靠的可编程逻辑控制器（PLC）。
配置：
- ICP-RIE 等离子刻蚀系统
- 配有紧凑型真空负载锁
- 适用于最大 200 毫米的晶片
- 基底温度范围 -20 °C 至 250 °C
- 可选：-30 °C 至 200 °C
- 低温 ICP 等离子刻蚀系统
- 带真空负载锁
- 基底温度从 -150 °C 到 80 °C（LN2 冷却)
- 基底温度 -10 °C 至 150 °C，用于博世工艺，带循环冷却器（可选）
- 自动切换装置可在低温蚀刻和博世工艺之间轻松切换
- RIE 等离子刻蚀系统
- 氦气背冷蚀刻的智能解决方案
- 电容耦合等离子源，可升级为 ICP 等离子源 PTSA 200
- 用于多晶片和大型基底的 ICP 等离子刻蚀系统
- 带真空负载锁
- 用于最大 380 毫米的晶片
- 带原子层刻蚀系统的 ICP-RIE
- 利用 PTSA 的低离子能量与高精度偏置控制相结合实现精确的离子能量控制
- 高效的气体控制和切换
- 可选配 SENTECH 实时监控器进行过程监控
- 用于气斩工艺的深层反应离子蚀刻系统
- 气体置换速度快，可实现较低的剥落率和更平滑的侧壁
- 高效 ICP 源耦合，实现快速蚀刻率
- 用于最大 150 毫米的晶片
