主要特点和优势
用于敏感基底的 PEALD
SENTECH SI PEALD 该系统具有真正的远程等离子源，可在 <100 °C 的低温条件下对敏感基底和基底层进行均匀和保形镀膜。无需紫外线辐射或离子轰击，即可在样品表面提供高通量的活性气体。
原子层沉积 (ALD)，实现精确、保形和均匀沉积
ALD 沉积技术的特点是能够沉积保形和均匀的薄膜，在原子水平上精确控制厚度，在半导体器件（如高介电材料的沉积）中发挥着越来越重要的作用。ALD 的一些主要应用包括传感器、光电子学和二维材料。
用于工艺开发和优化的现场诊断技术
通过 AL 实时监控器 可实现单个 ALD 周期的超高分辨率。这样做的好处是可以确认 ALD 制度、缩短工艺时间和降低总拥有成本。我们还提供光谱椭偏仪作为原位诊断，这对我们的原子层沉积系统具有特殊的优势。
反应器易于清洗
定期清洗反应器对于原子层沉积工艺的稳定性和可重复性至关重要。我们的原子层沉积系统在清洗时，可借助升降装置轻松打开反应器腔体。
集群整合
原子层沉积系统可作为 SENTECH 群集工具的模块提供。我们的原子层沉积系统可与森泰克 PECVD 和蚀刻系统相结合，用于工业应用。簇式工具可选配盒对盒装载功能。
手套箱系统集成
森泰克 ALD 系统与不同供应商的手套箱兼容。
用于敏感基底的 PEALD
- 聚合物箔
- 有机薄膜
- 有机器件
森泰克 ALD 系统可实现热操作和等离子体增强操作。我们的 ALD 系统可配置用于氧化物、氮化物和二维材料的沉积。可对三维结构进行均匀和保形镀膜。通过ALD、PECVD和ICPECVD，森特提供的等离子体沉积技术可沉积从纳米级到几微米的薄膜。
灵活性和模块化
森泰克ALD系统可将不同的热和/或等离子体增强ALD薄膜组合成多层结构。热沉积和等离子体增强原子层沉积（PEALD）可在一个反应器中进行，并配有最佳快门。
森泰克提供领先的、超快的、原位监测逐层薄膜生长的技术，利用 AL 实时监控器 以及宽范围光谱椭偏仪。
配置：
- 装载锁
- 真正的远程等离子源
- 利用真正的远程等离子体增强 ALD 进行低温加工
- 用于打开反应堆的提升装置
- 与集群集成兼容
- 装载锁
- 热 ALD 加工
- 可通过 True Remote CPP 等离子源进行升级
- 与集群集成兼容
- 用于带负载锁的系统
- 可提供不同供应商的手套箱
Designed with a modular plasma configuration, the system allows operation with the True Remote CCP source or the PTSA ICP source, depending on user process requirements. 
- PEALD 模块兼容 3 至 6 端口集群配置
- 可与 ICPECVD、ALE 和 ICP-RIE 模块结合使用
