主要特点和优势
SENTECH Depolab 200 是一种经济高效的等离子体增强型化学气相沉积 (PECVD) 系统，结合了用于均匀薄膜沉积的平行板电极设计和灵活的直接负载设计的优点。从 2 英寸到 200 毫米晶片和样品的标准应用开始。
成本效益
该系统将平行板等离子源设计与直接负载相结合。
可升级性
根据其模块化设计，SENTECH Depolab 200 可升级为更大的泵装置、用于应力控制的低频电源和额外的气体管路。
操作软件
用户界面友好、功能强大的软件包括图形用户界面、参数窗口、配方编辑器、数据记录和用户管理。
SENTECH Depolab 200 PECVD 系统设计坚固、可靠、软件和硬件灵活。该系统已开发出不同的工艺，例如用于高质量氮化硅和氧化硅层沉积的工艺。系统 系统包括带气箱的反应器单元、控制电子设备、计算机、备用泵和主连接盒。
灵活性和模块化
SENTECH Depolab 200 PECVD 系统的配置是为了沉积氧化硅。2 SiNx, SiONx和非晶硅薄膜，温度范围最高可达 400 °C。该系统特别适用于蚀刻掩膜、薄膜、电绝缘薄膜等电介质薄膜的沉积。
SENTECH Depolab 200 由先进的硬件和 SIA 操作软件控制，采用客户端-服务器结构。所有组件的实时控制均采用成熟可靠的可编程逻辑控制器 (PLC)。
配置：
- 等离子体增强化学气相沉积（PECVD）工具
- 开盖装载
- 适用于最大 200 毫米的晶片
- 基底温度高达 400 °C
- 用于低应力薄膜的可选低频混合器
- 干式泵组
- 占地面积小
