用于等离子蚀刻和沉积的簇配置

森泰克簇式工具包括等离子刻蚀和/或沉积模块、传输室和真空装载锁或晶圆盒站,可灵活地处理晶圆。
Dekoratives Bild
Dekoratives Bild

主要特点和优势

高产量和高产能

等离子刻蚀和沉积模块最多可与两个盒式工作站组合使用,以提高可重复性、高产量和高吞吐量处理最大 200 毫米的晶片。

灵活的工艺配置

三到六个端口的传输室可用于集群 ICP 等离子刻蚀系统、RIE 刻蚀系统、原子层沉积系统和 ICPECVD 沉积工具,以满足研发和生产的要求。样品可通过真空装载锁和/或真空盒站装载。

灵活的载体处理

SENTECH 群集配置适用于处理不同尺寸的晶圆,而无需使用允许 He-backside 冷却的载体进行硬件更改。不同间距的晶圆盒也可以互换。

Dekoratives Bild

森泰克簇式系统由等离子蚀刻和/或沉积模块、传输室和真空装载锁或盒式站组成。包括搬运机器人在内的传输室有三到六个端口可供选择。最多可使用两个盒式工位来提高吞吐量。

 

灵活性和模块化

SENTECH 簇式配置可用于加工直径从 100 毫米到 200 毫米的各种基底。

这些系统提供不同程度的自动化,从真空盒装载到单过程腔体,最多可实现六端口集群配置,并配有不同的蚀刻和沉积模块,具有高度的灵活性和高产能。

所有SENTECH集群系统都由先进的硬件和SIA操作软件控制,采用客户服务器结构。所有组件的实时控制均采用成熟可靠的可编程逻辑控制器(PLC)。

配置:

用于生产的高通量集群

该示例配置了两个盒式工作站、3 个电感耦合等离子体 (ICP) 处理模块和一个端口,以便以后升级增加处理模块。

  • 利用载体处理的灵活性
    (件,100 毫米、150 毫米、200 毫米)
  • 在不破坏真空的情况下组合工艺
  • 用于 ICP-RIE、ALE 的多种工艺模块、
    DRIE、低温蚀刻、ICPECVD 和 PEALD
  • 分离化学性质不相容的工艺
联系我们并索取报价

了解森德产品和应用

新闻