SENTECH不断与学术界和工业界的合作伙伴合作，研究对半导体工业至关重要的先进工艺和应用。这项研究旨在推动创新，满足市场需求，确保新的收入来源，并确保长期的可持续发展。
碳化硅（SiC）晶片上的氮化硅（SiNₓ）和二氧化硅（SiO₂）等介质层因其优异的电气、热和机械性能，被认为是下一代技术的关键，并有望应用于电力电子、电信和汽车电子等多个行业。
碳化硅具有独特的材料特性，如高热导率、高击穿电压和宽带隙，使这些基底非常适合在传统硅器件可能无法可靠运行的恶劣环境中应用。然而，碳化硅晶片的厚度给工艺和应用带来了挑战。要应对这些挑战，就必须对材料缺陷、杂质和界面特性进行准确的表征、精确的工艺质量控制和优化，这对评估基于碳化硅的半导体器件的可靠性和产量至关重要。
在制造基于碳化硅的器件的电介质层和叠层时，椭偏特性分析是一种有效的质量控制和工艺优化措施。这有助于确保有效满足所需应用的规格和标准要求。椭偏仪是一种非破坏性、高度准确和精确的方法，用于表征碳化硅基底上的介电层，如 SiO₂、SiNₓ、HfO₂、Al₂O₃ 和光阻。
SENTECH SENDURO accuva10 是一款全自动工具，用于测量薄膜厚度和光学常数，以控制蚀刻和沉积工艺。该工具用途广泛，可应用于图案化和非图案化晶圆。该系统配备了一个使用晶圆盒（100 毫米、150 毫米和 200 毫米晶圆）自动处理晶圆的机器人，以及一个带有缺口和平面探测器的预对准器，用于对每个晶圆进行预对准。此外，它还能使用边缘夹具处理双面处理过的晶片，并包括一个从顶部或底部读取晶片 ID 的 OCR 阅读器。测试模式通过模式识别进行识别，并在测量点上进行精确调整。可选择通过 SECS/GEM 向 MES 报告结果和统计数据。
最近，SENTECH 成功开展了工艺研究，展示了如何测量碳化硅晶片上的介电层，并编写了一份新的应用说明。您可以了解非侵入式椭偏仪技术如何在厚度为0.35毫米的100毫米SiC晶片上精确测量SiNₓ。如需完整的应用说明或更详细地讨论全自动薄膜计量工具系列，请联系 sales@sentech.de.
