电源设备
射频和 p作为电力转换器和系统行业以及集成设备和 5G 实施的未来，微波器件技术正在崭露头角。这些设备的优势在于能够根据负载需求精确控制电能从源头到负载的传输，效率高，可靠性强。由于这些器件适用于储能、电源、可再生能源、汽车和电动汽车以及移动技术等业务领域，因此市场需求不断增长。
行业
- 能源储存
- 电源
- 可再生能源
- 汽车和电动汽车
- 移动技术
森泰克的低损伤等离子体加工能力为具有挑战性的碳化硅器件、用于HEMT器件的AlGaN/GaN、作为栅极材料的高K电介质以及电力电子和高频射频器件的许多应用提供了领先的解决方案。
我们的等离子工艺系统支持高蚀刻选择性、基底表面和侧壁上蚀刻副产品的低挥发性以及不需要的微掩膜
深入了解成功蚀刻碳化硅对氧化硅的高选择性2 面具和我们的应用解决方案
碳化硅（SiC）是一种广泛应用于功率器件的半导体材料。碳化硅2 掩膜通常用于蚀刻深度达几微米的碳化硅结构。SiO2 掩膜通常会成为碳化硅深度蚀刻的限制因素。因此，在进行更深的碳化硅蚀刻时，通常会使用镍等硬金属掩膜。这些材料本质上具有更高的蚀刻选择性，但其主要缺点是蚀刻副产品不易挥发。掩膜在碳化硅表面及其侧壁的再沉积会导致不必要的微掩膜。
碳化硅等离子体蚀刻工艺使用二氧化硅（SiO2 掩膜则不存在这个问题。因此，对 SiO2 当需要对碳化硅进行深度蚀刻，同时又要保持合理的氧化硅含量时，这种掩膜会引起高度关注。2 面罩厚度。
使用 SENTECH SI 500 ICP-RIE 系统的蚀刻率高，对氧化硅的选择性也更高。2 这种光罩的实现得益于 SENTECH 专利的平面三螺旋天线 (PTSA)，这是一种独特的电感耦合等离子体 (ICP) 源，可提供高等离子体密度。同时还能保持垂直的侧壁轮廓。
在氮化铝/氮化镓异质结构中成功实现氮化铝层的低损伤等离子体 ALE
目前正在开发基于氮化铝/氮化镓异质结构的高电子迁移率晶体管（HEMT），用于大功率和高频率应用。这些晶体管利用二维电子气体 (2DEG) 沟道，提供高载流子密度和迁移率。主要的工艺挑战在于如何在不影响器件性能的前提下最大限度地减少能量损失，这就需要采用精确的纳米级厚度蚀刻工艺。
原子层蚀刻 (ALE) 是一种重复性工艺，包括两个连续的表面反应步骤。第一个表面反应步骤包括修饰表面，然后在较低的离子能量下去除修饰层。该工艺可实现氮化铝层所需的原子级蚀刻。然而，开发亚纳米精度的 ALE 工艺仍然是一项相对较新和具有挑战性的技术。因此，关键是要具备实时、原位监测能力，以设置工艺并及时了解相关的表面反应以及控制离子能量和分布的可能性。
SENTECH SI 500 配备 ALE 选件的刻蚀机包括专有的平面三螺旋天线 (PTSA)，这是一种独特的电感耦合等离子体 (ICP) 源。PTSA 能够在蚀刻过程中控制离子能量分布和离子能量。这种控制对于成功的 ALE 所必需的改性和去除步骤都非常有利。 此外，SENTECH AL 实时监控器 原位激光椭偏仪提供详细的过程开发和完全软件集成的实时过程观测。
通过使用 SENTECH® ALE 成功实现了氮化铝/氮化镓异质结构中氮化铝层的 ALE。 SI 500 使用 ALE 选项。AlGaN 结构经过循环表面改性，然后去除改性层。为了证明 ALE 特性，进行了协同作用测试。最后，使用原子力显微镜 (AFM) 对蚀刻后的表面粗糙度进行了研究，结果表明该 ALE 工艺在室温下获得了平整光滑的表面。
