光电技术
光电子学是一个迅速崛起的技术领域，它将电子器件应用于光的采集、检测、光学特性和控制。其应用包括 VCSEL、微型 LED 和微透镜，这些产品在航空航天、航天、汽车、消费电子、信息技术和医疗保健等众多工业终端用户中的需求都在不断增长。
行业
- 航空航天
- 空间
- 汽车
- 消费电子产品
- 信息技术
- 医疗保健
SENTECH 等离子产品系列为许多基于光电子技术的尖端应用提供了高效的解决方案。 SENTECH SI 500 D ICPECVD 该系统可用于平板设备中常用的 Micro LED 应用中的有效沟槽填充。
配备 PTSA 源的 ICP-RIE 等离子刻蚀系统 SI 500 为垂直和锥形砷化镓基 VCSEL 提供高选择性、低损伤蚀刻和精确端点检测。SENTECH SI 500 配备平面三螺旋天线（PTSA）200 的 ICP-RIE 系统可对基于氮化镓和磷化铟的器件进行低损耗蚀刻，以构建波导和微透镜。微透镜可在 LED 制造中提供极其高效的光提取，也可用于聚焦光。此外，还在氮化硅和氧化硅中展示了光滑、垂直、低损耗的波导和光耦合面。
了解更多有关使用 SENTECH 成功进行 InP 柱 ICP-RIE 蚀刻的信息 SI 500 ICP-RIE 蚀刻系统
二维光子晶体（PhCs）为光子集成电路提供了巨大的潜力。二维光子晶体可用于微型化现有的集成光学器件，如弯曲器、微腔、滴加滤波器和带边激光器。成功蚀刻 InP 柱作为测试图案，验证了 SENTECH SI 500 配备 SENTECH PTSA ICP 等离子源的 ICP-RIE 系统。InP 柱的侧壁是
实现了极小粗糙度和光滑底面的垂直，对 Ni/SiO2 在 InP 蚀刻过程中观察到了掩膜。
在整个蚀刻过程中保持恒定的样品温度和低压下稳定的等离子体是成功蚀刻 InP 柱的关键特征。SENTECH SI 500 ICP-RIE 系统配备了平面三螺旋天线 (PTSA)，这是一种电感耦合等离子体 (ICP) 源，离子能量分布窄，离子能量极低。SENTECH 专利的 PTSA 是一种独特的平面等离子源，可实现低损伤蚀刻。
了解有关成功蚀刻铌酸锂（LiNbO3）脊波导的更多信息
铌酸锂（LiNbO3或 LN）是一种非线性晶体材料，具有大电光系数、压电特性、大透明度范围和宽固有带宽等特性。此外，LiNbO3 LNOI）将允许制造高对比度光波导和高集成度光子集成电路（PIC），从而最终开创新一代微型射频调制器。
蚀刻光滑的脊波导是制造 PIC 的最关键步骤。由于铌酸锂3 是一种相对较硬的晶体材料，干法蚀刻通常会导致表面粗糙度较高和侧壁再沉积，从而导致光学损耗和较差的器件特性。六氟化硫（SF6气体或 SF6/氩（Ar）混合气体被广泛应用于等离子工艺中，以蚀刻氧化铌锂。3然而，物理辅助解吸这类非挥发性氟化物需要很高的偏置功率，以避免微掩膜造成表面粗糙。
为了提高蚀刻速率，改善对二氧化硅的选择性2 面罩，SENTECH SI 500-RIE 系统采用 SENTECH 独有的平面三螺旋天线 (PTSA) 和电感耦合等离子体 (ICP) 源，可实现高等离子体密度。该系统还提供出色的动态温度控制。森泰克激光干涉仪（SLI 670）用于提供完全软件集成的过程观测。
利用专门设计的蚀刻工艺，结合适当的气体化学成分和偏置功率，我们成功地蚀刻出了铌酸锂。3 在垂直度较好的情况下，使用具有光滑侧壁的脊波导 SI 500 在 ICP-RIE 模式下进行。蚀刻曲线没有受到任何影响，并实现了良好的选择性，侧壁上没有任何再沉积物。SENTECH SLI 670 准确地记录并停止了精确到所需厚度的蚀刻过程。
