微机电系统（MEMS）
微机电系统（MEMS）是许多微加工设备的总称，这些设备可实现高度可扩展、低成本、大规模生产传感器、致动器和光学器件。微机电系统有许多应用，例如压力传感器、加速度传感器和麦克风，因为它们灵敏度极高、体积小、功耗极低，而且适合与微电子系统集成。
行业
- 传感器
- 汽车
- 航空航天
- 消费电子产品
- 数据通信
- 生物医学成像
传统的等离子蚀刻工艺设计蚀刻深度只有几微米，而且缺乏蚀刻速率和掩膜选择性。对硅进行深反应离子蚀刻（DRIE）以产生高纵横比微结构，是先进微机电系统（MEMS）领域的一项关键工艺。通常有两种方法：气体切割工艺（"博世工艺"）和低温（冷冻）蚀刻。这两种工艺都能制作出具有优异各向异性、蚀刻速率和蚀刻掩膜选择性的深层特征。博世工艺在蚀刻率和纵横比方面表现出色，因此被公认为主要的生产技术。低温制程克服了博世制程的扇形缺陷，可获得光滑的侧壁。
SENTECH ICP-RIE 系统可配置为使用博世、低温或两种工艺的 DRIE。此外，SENTECH SI 500 使 MEMS 功能达到了一个新的水平，可用于包括 AlN 和 AlScN 压电 MEMS 刻蚀在内的尖端应用。 SI 500 D 用于高质量、精确应力控制的硅ICPECVD3N4 和氧化硅2 取证。
SENTECH SENDURO®MEMS 和 1000 马币 质量控制 计量系统非常适合用于表征研发和全自动生产过程的质量。 通过模式识别，该系统可自动测量薄膜厚度、光学常数以及图案晶片的均匀性，从而深入了解任何 MEMS 设备的开发和阶段。
深入了解压电 MEMS 谐振器工艺挑战和我们的应用解决方案
压电氮化铝（AlN）是一种著名的电介质材料，兼具优越的机电特性，是 MEMS 和 CMOS 工艺中低功耗和高集成度的理想材料。
氮化铝基 MEMS 器件的蚀刻通常是通过在两个金属电极之间夹一层氮化铝薄膜来实现的。
蚀刻区域的粗糙度增加是与氮化铝蚀刻相关的主要挑战之一。因此，在蚀刻速率较高的情况下，AlN 和金属底层之间的蚀刻选择性以及产生的粗糙度可能是微机电系统应用的两个主要限制因素。
在高蚀刻速率下，侧壁光滑、表面粗糙度低，同时对金属底层保持良好的蚀刻选择性。 SI 500 ICP-RIE 蚀刻系统配备 SENTECH 专利的平面三螺旋天线 (PTSA) 电感耦合等离子体 (ICP) 源。
低离子能量下极窄的离子能量分布、低压下稳定的等离子体以及低等离子体功率是使用 SENTECH 成功蚀刻的关键特征。 SI 500 该系统配有 SENTECH PTSA ICP 等离子源。
