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Passivation, barrier, dielectric

MOS barrier
SiO₂/Si
260°C deposition temperature
N = 1.469
N_ss = 0.2 * 10¹¹ cm^-2 eV^-1
EB = 8.6 MV/cm
R = 1.1 * 10¹⁸ Ohm cm

Products:

ICPECVD SI 500 D

Static and dynamic C-V curve of MOS barrier

Static and dynamic C-V curve of MOS barrier

MIM capacitor on InP
IC Au/Si₃N₄/Au/InP
130°C deposition temperature
N = 2.0
EB = 8 MV/cm

Products:

ICPECVD SI 500 D