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Lift-off

Lift off
Si₃N₄ /resist/Si
Td = 80°C
Deposition rate >40 nm/min
Stress < 10⁹ dyn cm^-2
BHF etch rate < 3.5 nm/min
KOH etch rate 0.07 nm/min
Refractive index 2.0

Products:

ICPECVD SI 500 D